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50A電流的MOS管可替代FQP50N06型號參數(shù)，應用在100W-12V輸入的逆變器
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28A低電荷MOS管，型號540參數(shù)適用電壓轉換器！
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80A大電流MOS管，型號80N07參數(shù)適用鋰電池保護板！
18A低電流，200V電壓參數(shù)特點的MOS管分別有哪些型號？
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10A低電流、400V電源MOS管，型號740參數(shù)適用方波輸出的逆變器電路！
型號830，5A、500V低電流、高壓MOS管，適用逆變器的后級電路！
9A低電荷高壓功率MOS場效應管，型號840參數(shù)適用逆變器后級電路！
10A低電荷、600V電源MOS管，型號10N60參數(shù)適用馬達驅動！
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600V高壓功率MOS場效應管，型號5N60參數(shù)適用馬達驅動電路！
12A低電荷、600V電源MOS管，型號12N60參數(shù)適用電源轉換器！
電子工程師常用的20A低電荷高壓功率場效應管：型號20N60參數(shù)特點！
60V低壓MOS管，型號50N06參數(shù)適用電機調速電路！
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> IGBT
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

IGBT兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。

因此IGBT是非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。飛虹半導體生產制造的IGBT產品都是經過一系列可靠性研究才最終反饋到市場進行應用的。

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